Что такое модуль IGBT?

Биполярный транзистор iGBT с изолированным затвором представляет собой композитное полностью управляемое силовое полупроводниковое устройство с напряжением, состоящее из BJT (биполярный транзистор) и MOS (транзистор с эффектом поля изолированного затвора). Его преимущества как высокого входного импеданса МОП-тп,т.к., так и низкого падения напряжения ОТО. Напряжение насыщения ОТО снижается, а плотность токопереноса высока, но движущий ток относительно велик. Мощность привода MOSFET очень мала, скорость переключения высокая, но падение напряжения при включении велико, а плотность переноса тока невелика. IGBT сочетает в себе преимущества двух вышеуказанных устройств, с низкой мощностью привода и пониженным напряжением насыщения.